ITle="GCCNTFET-1484831713528.jpg" src="http://news.cnblogs.com/images2015.cnblogs.com/news/66372/201701/66372-20170121000846750-1776667487.jpg" alt="http://static.cnbetacdn.com/article/2017/0120/d4108c823792c1c.jpg" />

硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管已经很难再继续缩小下去，碳纳米管是替代硅的候选纳米材料之一，碳纳米管晶体管的主要技术挑战过去几年已被陆续得到解决。中国北京大学的科学家开发出栅长 5 纳米的碳纳米管场效应晶体管，声称其性能超过相同尺寸的硅晶体管。他们的研究报告发表在今天出版的《科学》期刊上。研究人员报告，碳纳米管晶体管比硅基晶体管操作速度更快，工作电压更低。

论文通讯作者 Lian-Mao peng 称，碳纳米管晶体管的栅电容更小，即使硅基设备缩小到碳纳米管设备相同尺寸，后者的开关速度仍然更快。10 纳米碳纳米管 CMOS 栅电容导致的延迟大约为 70 飞秒，仅为英特尔 14 纳米硅基 CMOS 的三分之一。peng 预测，碳纳米管电子产品有很好的机会到 2022 年取代硅基 CMOS。